分辨率	3/5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
靈敏度	5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
漂移	InGaAsPIN
輸出信號(hào)	模擬型
線性度	InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
制作工藝	陶瓷
重復(fù)性	3/5mm InGaAsPIN
遲滯	5mm InGaAsPIN 銦鎵砷光電探測(cè)器
品牌	mezen
型號(hào)	銦鎵砷光電探測(cè)器

 3/5mm InGaAsPIN  銦鎵砷光電探測(cè)器

        通過(guò)對(duì)InGaAs材料的光譜響應(yīng)特性分析，以及對(duì)InGaAs材料的一系列優(yōu)點(diǎn)了解剪酵，表明了InGaAs是一種在短波紅外領(lǐng)域極有前景的探測(cè)器材料蒂轨。如今欲广，國(guó)外高性能、大面陣的InGaAs焦平面陣列技術(shù)獲得比較成熟的發(fā)展檩榕，已在科學(xué)繁触、軍事栓稻、民用等方面的微光夜視**制導(dǎo)、空間遙感篙耗、近紅外光譜分析迫筑、工業(yè)控制、生物醫(yī)療和航天航空等領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用宗弯；而在國(guó)內(nèi)脯燃，InGaAs焦平面陣列的研究起步較晚，能夠成功工程化應(yīng)用的產(chǎn)品還很少蒙保。因此辕棚，加快InGaAs短波紅外探測(cè)器的研制，特別是近室溫InGaAs短波紅外焦平面探測(cè)器的研制和開(kāi)發(fā)邓厕，對(duì)我國(guó)的紅外事業(yè)而言具有非常重要的戰(zhàn)略意義逝嚎。

 （1）各模塊應(yīng)以同一方式處理，作為普通半導(dǎo)體器件防止靜電損壞详恼，對(duì)安全性和攜帶性补君，各模塊應(yīng)采用防靜電材料，在印刷電路板上組裝模塊工作臺(tái)昧互，焊接鐵和人體應(yīng)接地挽铁。（2）請(qǐng)?zhí)貏e注意大氣狀況，因?yàn)樵撀端谀K可能會(huì)導(dǎo)致一些電氣損壞机凭。（3）在汽車迟伤、性能及不保證可靠性。